Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTY1R4N60P TRL
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTY1R4N60P TRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
RFQ Online
12821663
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTY1R4N60P TRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Polar™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY1
Informații suplimentare
Alte nume
IXTY1R4N60PTRL
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TSM1NB60CP ROG
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
8702
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM1NB60CP ROG-DG
PREȚ UNIC
0.21
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FQD1N60CTM
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1490
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQD1N60CTM-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFL100N50P
MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
IXFR44N50Q3
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
IXTT96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO268
IXTK120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A TO264